三星投資的新創Micro LED顯示器技術商iBeam Materials(iBeam)日前宣布，已成功展示一項可直接在纖薄、柔性且可彎曲的金屬基板上製造高效氮化鎵(GaN)場效電晶體(FET)的技術。將這項技術與該公司先前發表的MicroLED搭配使用，製造商可以在省去巨量轉移製程，直接將MicroLED與場效電晶體以並排的方式整合在一起。該公司預估，這項直接在金屬基板上製造GaNFET的技術，可望在2022年進入大規模量產。
MicroLED顯示器技術可突破傳統顯示器的外觀尺寸限制，為手機、可穿戴式裝置、照明及儀器等產品外觀帶來轉變的可能。新技術製造的大面積MicroLED顯示器具有韌性但外形纖薄，且其可彎曲、凹折及適應各種形狀的特性，能與傳統的顯示器產生明顯的市場區隔。此外，相較傳統LCD和OLED顯示器，該Micro LED顯示器具較高亮度及效率。
Micro LED顯示器能否普及的關鍵取決於量產技術的成熟度，及應用設計是否有足夠的實用性，本次iBeam技術的突破，克服了量產技術方面的瓶頸。而該公司早期技術發展亦著重於柔性基板，如其專利製程可使製造商直接在薄、柔性大面積金屬基板上生產產品。透過直接於金屬基板上生產Micro LED顯示器面板，可以捲對捲(Roll-to-Roll)製程大量生產，而該公司精進製程的同時，亦能使生產資金與營運成本較傳統顯示器來得低。
